键合金丝

义项:半导体封装用金丝
键合金丝

键合金丝是半导体封装中用于连接芯片电极与引线框架或基板的细金丝,直径通常在十几微米至数十微米之间,多以高纯金为基础添加微量合金元素制成[1][2]。它在导电、导热、耐腐蚀与加工性能之间较为均衡,是最早投入使用、并长期用于高可靠封装的一类键合丝[3][4]。受黄金价格和铜丝、银丝技术成熟的影响,其在键合丝中的份额下降,但在高端集成电路、军品模块与大功率发光二极管封装中仍被采用[4]

目录
  1. 定义
  2. 原理
  3. 发展历程
  4. 应用
  5. 局限
  6. 参见

定义

键合金丝指由金基铸棒经拉拔或孔轧并退火制成、截面为圆形、直径小于 0.1 毫米、在半导体封装电路中充当连接线的丝材;按现行国家标准,金质量分数不低于 99% 的称为金丝(纯金丝),低于 99% 的称为金合金丝[5]。它与金带同属金基键合产品,区别在于后者由丝材轧制而成、截面为矩形[5]。

早期产品以 99.99% 高纯金为基础,加入铜、铍、银等微量元素调节机械性能,线径多落在 18 至 50 微米区间[2]。随着器件小型化,主流线径已细化到 15 至 25 微米,也有企业把最细规格做到 12 微米[6]。因为成球后采用球焊—楔焊方式接合,它也常被叫作球焊金丝或引线金丝[2]。

原理

键合的本质是把金属丝两端分别压焊到芯片焊盘与引线框架上,形成电气通路。常见做法是热超声球焊:打火杆施加高压击穿空气,使线尾熔化形成自由空气球(FAB),球体压到芯片铝焊盘上,在温度、压力和超声能量共同作用下发生塑性变形与界面原子扩散,形成第一焊点;随后机头牵引金丝走出设定的线弧,在框架一侧以楔焊压出第二焊点并扯断线尾[7][8]。超声能量使金属软化,键合界面温度实测多在 70 至 200 摄氏度,远低于金的熔点,因此接头靠固相连接而非熔化形成[8]。

烧球时电弧热量沿丝材向上传导,使靠近球颈的一段晶粒长大,这段区域称为热影响区(HAZ),长度通常只有几十到一百多微米[6][7]。该区晶粒粗化、强度偏低,容易成为断裂起点,其长短直接决定可实现的最低弧高与键合强度,热影响区越短,线弧可以压得越低、占用空间越小[6]。生产中通过成分设计与工艺调整来缩短热影响区,并用扫描电镜或金相法测定其长度[6]。

线弧形状由弧高、跨距与丝材刚度共同决定,国家标准按可达到的最低弧高把产品分为若干型号,弧高从 250 微米以上一直覆盖到 30 至 100 微米级别,供不同封装密度选用[9][5]。

发展历程

20 世纪后半期,引线键合材料最初多用铝线和铜线,后来金的化学稳定性优势被认识,金丝逐渐成为研究与生产的主流,并发展出热压球焊与热超声球焊等工艺[8][10]。中国在 1988 年 2 月首次发布半导体器件键合用金丝的国家标准,1997 年第一次修订,其后又在 2007 年、2014 年和 2022 年几度修订[11][12][5]。

2014 年发布的版本更名为《半导体封装用键合金丝》,按化学成分区分掺杂金丝与合金金丝,并按最低弧高划分 GS、GW、TS 及 AG2、AG3 等型号[12]。2022 年 12 月 30 日发布的 GB/T 8750-2022 把金合金丝和金带纳入,改按金含量分为 4N、3N、2N 金丝与金合金丝,并于 2023 年 7 月 1 日实施[13][5]。

2009 年至 2011 年,国内企业承担国家科技重大专项课题,开展面向方形扁平封装(LQFP)与方形扁平无引脚封装(QFN)的低弧高强度键合金丝研发和产业化,建成年产 2 吨的生产线[14]。2007 年金价大幅上涨后,大量封装企业转向铜丝等替代材料,键合金丝的用量占比随之下降[4]。

应用

键合金丝主要用于集成电路、半导体分立器件和发光二极管封装,把芯片表面的电极与引线框架或基板连通[12][1]。在高端集成电路、军用器件模块、大功率照明与光通讯模块、摄像头模组等对可靠性要求较高的场合,金丝仍是常用选择。毫米波多芯片组件等射频互连中,金丝跨距与焊盘尺寸对传输特性影响明显,需专门建模分析[15]。

从用量结构看,2022 年国内半导体键合丝需求约 360.1 亿米,其中键合金丝约 62.3 亿米,但按销售额计占了大部分份额[16][17]。低金含量的金合金丝如含金约 80% 和 60% 的型号,因电阻率偏高,多用于中高端发光二极管封装和部分集成电路封装,可降低材料成本[9][18]。

局限

成本是最直接的制约。金丝的材料价值远高于铜丝,有资料称金丝成本可达铜丝的数十倍,金价高位运行时键合成本压力尤为明显[19][20]。2007 年金价上涨后,多数封装企业转而采用铜丝、银丝等替代方案或减少黄金用量,键合铜丝的市场占有率此后超过金丝[4]。

机械性能方面,纯金较软,在高密度、小体积封装中容易出现歪丝、塌丝,因此产品需要向合金化方向发展以提高强度[4]。界面可靠性也有限制:金丝与铝焊盘属异种金属体系,高温下金属间化合物过度生长会形成脆性断裂点,出现所谓紫斑,长期高温存储还可能因柯肯德尔孔洞而失效;在高温高湿并有卤素离子存在的环境中,金铝体系还可能发生电化学腐蚀[21][22]。

工艺与供给层面,热影响区难以完全消除,超细线径产品的均匀性与良品率控制难度大;有资料指出 18 微米以下的超细径产品仍主要依靠少数海外厂商供应,国内高端规格的进口依存度较高[6]。金合金丝还易发生氧化,包装需抽真空密封,开封后须当日用完,否则应存入氮气柜[3]。

参见

  • 引线键合 —— 键合金丝所服务的芯片互连工艺。

  • 键合铜丝 —— 以铜为主体、成本更低的键合丝,是金丝的主要替代品。

  • 键合银丝 —— 导电导热较好、常用于发光二极管封装的替代材料。

  • 引线框架 —— 键合第二焊点所连接的金属载体。

  • 金属间化合物 —— 金铝界面反应产物,关系到键合接头可靠性。

参考资料

  1. 芯片上真有黄金,它就是键合金丝 [引用日期2026-10-29]
  2. 黄金丝 键合金丝 [引用日期2026-10-29]
  3. 半导体封装用金基键合丝及金带国家标准 [引用日期2026-10-29]
  4. JSSIA [引用日期2026-10-29]
  5. (高清版)GBT 8750-2022 半导体封装用金基键合丝、带.docx [引用日期2026-10-29]
  6. 贵金属键合丝热影响区长度的扫描电镜测定方法 [引用日期2026-10-29]
  7. CN113702202B(PDF) [引用日期2026-10-29]
  8. 1)引线键合设备及材料研究 . 136.150 [引用日期2026-10-29]
  9. 中华人民共和国国家标准 [引用日期2026-10-29]
  10. 金丝球焊 [引用日期2026-10-29]
  11. 中华人民共和国国家标准 [引用日期2026-10-29]
  12. GB/T 8750-2014 半导体封装用键合金丝.pdf - 首页 > 推荐性国家标准 > 电子 [引用日期2026-10-29]
  13. 国家标准 [引用日期2026-10-29]
  14. LQFP、QFN先进封装用低弧高强度键合金丝的研发和产业化 [引用日期2026-10-29]
  15. 键合金丝 [引用日期2026-10-29]
  16. 2024-2031年键合丝行业市场调研与未来前景预测分析报告 [引用日期2026-10-29]
  17. 冯源IC头掘荟第69期:键合丝赛道 [引用日期2026-10-29]
  18. 无氧化键合金银合金丝的研发 [引用日期2026-10-29]
  19. 半导体封装:键合铜丝的性能优势与主要应用问题 [引用日期2026-10-29]
  20. 车规芯片焊线材料可靠性分析.docx [引用日期2026-10-29]
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